KIOXIA'nın Ölçeklenebilir BiCS FLASH™ 3D Flash Bellek Teknolojisi, Bellek Kapasitesini Şimdiye Kadar Ulaşılan En Yüksek Seviyeye Çıkarıyor
KIOXIA'nın BiCS FLASH™’i, üç boyutlu (3D) dikey flash bellek hücre yapısıdır. Bu yapı, 2D (düzlemsel) flash belleğin kapasitesini aşmasını sağlar. KIOXIA'nın endüstride bir ilk*2 olan hücre başına 3 bitlik TLC 1Tb (128GB*1) BiCS FLASH™ teknolojisi, yazma hızlarını artırırken yazma/silme dayanıklılığının güvenilirliğini artırır. Şirket ayrıca hücre başına 4 bit, dört seviyeli hücre (QLC) teknolojisine sahip bir 1,33 Tb BiCS FLASH™ cihazı sunuyor. Bunu yapan ilk 3D flash bellek cihazıdır.*3
ÜRÜN FOTOĞRAFLARI
TLC (Üç Seviyeli Hücre) ve QLC (Dört Seviyeli Hücre) Teknolojisi
KIOXIA'nın BiCS FLASH™ ürünü, 1 terabit (Tb) hücre başına 3-bit, üç seviyeli hücre (TLC) sunar ve daha yüksek yoğunluklu QLC teknolojisi daha büyük kalıp kapasitesi sağlar. KIOXIA, 1,33 terabit (Tb) ile sektördeki en yüksek kapasiteye*4 ulaştı ve 16 kalıplı yığın mimarisi, tek bir pakette 2,66 terabayt (TB) gibi benzersiz bir kapasiteye gelebilir.
ÜRÜNÜN TEKNİK ÖZELLİKLERİ
- Kalıp başına geleneksel flash bellekten daha yüksek depolama yoğunluğu
- Daha yüksek Okuma/Yazma hızı performansı
- 2D (planer) NAND'dan Daha Yüksek Güvenilirlik
- Düşük Güç Tüketimi
- Yoğun paketleme seçenekleri
- Yüksek tek çipli bellek kapasitesi (2,66 TB'a kadar)
- Olumlu maliyet/performans denklemi
Temel Uygulamalar
- Kurumsal Depolama
- Veri Merkezi Depolama
- İstemci Bilgi İşlem
- Mobil
- Otomotiv
- Tüketici
- Endüstriyel
*1 Ürün yoğunluğu, son kullanıcı tarafından veri depolama için mevcut bellek kapasitesi miktarına göre değil, ürün içindeki bellek çip(ler)inin yoğunluğuna göre belirlenir. Tüketici tarafından kullanılabilir kapasite, genel veri alanları, biçimlendirme, hatalı bloklar ve diğer kısıtlamalar nedeniyle daha az olacaktır ve ayrıca ana cihaza ve uygulamaya göre değişebilir. Ayrıntılar için lütfen geçerli ürün spesifikasyonlarına bakın. 1Gb’ın tanımı = 230 bit = 1.073.741.824 bit. 1Gb’ın tanımı = 230 bit = 1.073.741.824 bit.
*2 12 Haziran 2007, basın bülteni
*3 28 Haziran 2017, basın bülteni
*4 20 Temmuz 2018, basın bülteni